GTX 260 SOC：GIGABYTEからの死を分配する小さなGTX

Radeon HD 5800シリーズがリリースされ、最近では次世代のNVIDIAグラフィックコアについて多くのことを学んでいますが、GT200については、おそらく最後に少しやり遂げる予定です。

私たちの主人公は、GIGABYTEによって構築されて提供された特別なGTX260になります。 GTX 260もリリース以来、いくつかの変更が加えられており、NVIDIAはGT65bバリアントとして200nmテクノロジーを搭載した55nm GT200 GPUの製造を開始し、HDX4870は速すぎることが判明し、GTX260を192シェードにわずかにターボチャージャーしました。変更後は216個のストリームプロセッサを使用しましたが、これはパフォーマンスに非常に優れていました。 今日、これらのカードの総額は約HUF 40に下がりました。これは、パフォーマンスの点で、良い買い物です。 絶対にATI機能を考慮せず、間違いなくGeForceが必要です。 今日では、すべてのメーカーがNVIDIAのファクトリーソリューションや推奨事項とは異なるカードを製造しており、個別に冷却して発行するか、引き上げただけです。GIGABYTEも例外ではありませんが、おそらく平均より少し多いです。 どうして？

GPUガントレットソーティング

GPUガントレットは、GIGABYTEでのGPU検査および並べ替えプロセスであり、個々のコアが複数の側面について検査されます。 SuperOverClock（SOC）ファミリーのカードでGPUを入手するには、GPUガントレットを選択する必要があります。 このプロセスの結果、最も成功し、最も強く、最も安定したシードのみがSOC製品に追加されます。

GPUガントレットフェーズ：

• 色合いと記憶を調べるための独自の分析データベース
• グラフィカルな測定プログラム（FurMark、3DMark Vantage）を使用して最高の時計を見つけるための徹底的なテストプロセス
• 最適な安定点（スーパーOCポイント）への工場オーバードライブ、高性能と最適な消費の理想的なバランス

SuperOverClockファミリーのメンバー（現在260つのGTX275と1500つのGTX3）は、パフォーマンスの向上だけでなく、はるかに静かな動作も提供します。 このタイプのマークが付いたカードは、高いXNUMXDパフォーマンスを必要とし、PhysXを使用するゲームでも、XNUMX rpmの速度を保証します。その結果、平均的なGeForceに匹敵するノイズの生成はほとんどありません。

パフォーマンスの向上（平均25％）と大幅に低いノイズに加えて、SOCコントローラーの燃費も向上しており、GTX 260 SOCは工場出荷時のGTX4よりも約260％多くなっています。

今議論された前向きな変化はどのように可能ですか？

超耐久性VGA（UDV）

しばらくの間、GIGABYTEは一部のマザーボードでUltraDurableテクノロジーを使用してきました。 グラフィックコントローラは、PCBの内層に2オンスの銅を使用しているため、より均一で優れた熱分布が得られます。 さらに、最高品質の日本の固体電解コンデンサ、高品質の鉄心コイル、および低RDS（オン）MOSFETがプリント回路基板に追加されています。 UDVカードでは、最も厳しいテストに合格したファーストクラスのHynixおよびSamsungメモリチップしか見つかりません。

日本の固体コンデンサ：

日本の大手メーカーが製造するソリッドステートコンデンサの平均寿命は50時間です。 これらのコンポーネントは、安定性と寿命に不可欠です。 最新のコンポーネントで補完され、最も要求の厳しいユーザーの期待にも応えます。

フェライトコア（金属）チョーク：

チョークは、エネルギーを蓄えることによって電力供給を調整するコイルです。 GIGABYTEは、鉄心よりもはるかに高価なフェライトコアコイルを使用しています。 フェライトは、酸化鉄と他の金属の合金でできており、従来の鉄心コイルよりもはるかに長くエネルギーを蓄えます。 これは、コアのエネルギー損失が減少することを意味し、EMI干渉が少なくなり、システムの信頼性が高まります。 さらに、フェライトコイルは鉄よりもはるかに耐酸化性があります。 ほとんどの人はまだ錆びたマザーボードを見たことがありませんが、これは実際には、湿度の高い気候や空気中の塩分濃度が高い沿岸地域では重要な考慮事項です。

低いRDS（オン）MOSFET：

MOSFETは、回路に通電することを許可または防止するスイッチです。 MOSFETの場合、GIGABYTEは低RDS（オン）MOSFETを使用することを選択しました。 これらのMOSFETの利点は、最適化された充電、最小化されたスイッチング損失、より低い温度、およびより小さなサイズです。

出典：GIGABYTE