A Toshiba 19 nm-re hajt a NAND Flash iparban
Egy hete számoltunk be arról, hogy az Intel és a Micron közös vállalkozásban, IM Flash Technologies néven a 20 nm-en gyártott NAND Flash lapkákat vették célba. Most a Toshiba büszkén jelentette be, hogy ők egy lépéssel tovább szeretnének menni és 20 nm helyett 19 nm-es eljárást alkalmaznak. Ennek eredményeképpen egy ilyen MLC (Multi Level Cell) típusú chip területe a konkurens megoldás kiterjedése, azaz 118 mm2 alá esik, a kapacitás pedig ugyanúgy 64 Gbit (8 GB) lesz. Az első mintapéldányokat ennek a hónapnak a végén kezdi el szállítani a vállalat, a tömegtermelés a harmadik negyedévben indulhat be. Ez időintervallum hasonló az IMFT által közöltekhez, ugyanis ők 2011 második feléről beszéltek. A Toshiba termékében egy úgynevezett „Toggle DDR2.0” nevű technológia is jelen lesz, amely a sebességre lesz jótékony hatással. Az említett gyártó partnere a SanDisk még ebben az évben szeretne csatlakozni azon gyártók köréhez, akik 19 nm-es NAND Flash lapkákat kínálnak. Az új fejlesztést elsősorban táblagépek, SSD-k és okostelefonok kapják meg. A hivatalos közlemény a forrás oldalon olvasható.
