50 nm-es flashmemória a Samsungtól
A Samsung tegnap mutatta be az 50 nanométeres gyártási technológiával készülő, 16 gigabit kapacitással rendelkező NAND-flashmemóriájának első példányait.
Az MLC, azaz Multi-Level Cell (többszintű cella) technológiával készülő memória esetében a lapméret 4 KB, szemben a korábbi 2 kilobájtos kialakítással. Ez az olvasási sebesség megkétszereződését és az írási mutatók 150 %-os növekedését teszi lehetővé. Sorozatgyártásuk 2007 első negyedévében kezdődik meg.
Az új fejlesztésű flashmemóriák a hordozható eszközök mellett az SSD (Solid State Disk) meghajtókba is bekerülnek, melyek véletlenszerű hozzáférés esetén nemcsak jóval gyorsabbak és csendesebbek, mint a hagyományos merevlemezek, de fogyasztásuk is alacsonyabb. Ennek köszönhető, hogy több nagyobb noteszgépgyártó — köztük a Sony és a Fujitsu — is érdeklődik a technológia iránt.
